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【工業(yè)級(jí)輔源系列】800V高雪崩SOP12寬爬電芯片，完美替代ICE2Qxx

發(fā)布時(shí)間 2024-02-22 |

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◆QR控制模式，顯著減低開(kāi)關(guān)損耗，支持125kHz工作頻率，減小變壓器及輸出電容體積；

◆QR/PFM/Burst多工作模式，提高全負(fù)載段工作效率；

◆SOP12封裝，高低壓引腳爬電距離大于2mm，更高安全性；

◆智能保護(hù)：輸出過(guò)壓保護(hù)、次級(jí)整流管短路保護(hù)、采樣電阻短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、過(guò)負(fù)載保護(hù)等，可輕松應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用場(chǎng)景下可能發(fā)生的電源故障！

該系列芯片基于準(zhǔn)諧振控制，顯著降低功率MOSET開(kāi)通損耗和次邊整流管的反向恢復(fù)損耗，因而支持125kHz高頻化工作。

MOSFET開(kāi)通損耗Pon：

開(kāi)關(guān)頻率fs：

Vg：母線(xiàn)電壓；n：變壓器原副邊匝比;

Vo：輸出電壓；N：谷底數(shù)；

Lp：變壓器勵(lì)磁電感；

Coss：開(kāi)關(guān)管漏源兩端的等效電容

Ipmax：變壓器原邊峰值電流

該系列芯片集成800V智能功率器件，包含功率開(kāi)關(guān)管Q1、電流采樣管Q2和高壓?jiǎn)?dòng)模塊，使得電源系統(tǒng)的抗雷擊沖擊能力更強(qiáng)、待機(jī)功耗更低、異常保護(hù)更敏捷。

芯片根據(jù)FB電壓工作于QR、PFM、Burst-mode三種模式，通過(guò)DMG檢測(cè)變壓器消磁結(jié)束后的諧振谷底信號(hào)，實(shí)現(xiàn)谷底開(kāi)通。

重載時(shí)，芯片工作在第一諧振谷底；負(fù)載減輕時(shí)，芯片會(huì)逐步降低工作頻率至25kHz；極輕載時(shí)，芯片進(jìn)入間歇工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載段的效率更佳！

芯片提供了極為全面和優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括過(guò)溫保護(hù)(OTP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(Vout OVP)、VDD過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP)、逐周期過(guò)流保護(hù)(OCP)、輸出短路保護(hù)(OSCP)、次級(jí)整流管短路保護(hù)(DSP)、采樣電阻短路保護(hù)(CSS)和過(guò)負(fù)載保護(hù)(OLP)，可輕松應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用場(chǎng)景下可能發(fā)生的電源故障！