方案

新一代！內(nèi)置高壓啟動/過欠壓保護的高集成GaN快充系列

發(fā)布時間 2024-05-31 |

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本期，芯朋微技術(shù)團隊為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案，該方案集當前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成，進一步優(yōu)化快充方案的待機功耗、市電保護、功率密度、轉(zhuǎn)換效率、輸出電壓紋波等關(guān)鍵指標，實現(xiàn)技術(shù)降本！

芯片介紹

? 待機功耗低：內(nèi)置800V高壓啟動電路，節(jié)省2顆啟動電阻，待機功耗小于50mW

? 市電保護準：通過HV腳監(jiān)控市電，實現(xiàn)精準市電欠壓+過壓雙重保護，為GaN器件安全運行保駕護航

? 功率密度高：基于QR-Lock控制技術(shù)，最高工作頻率200kHz以上，顯著減小變壓器及輸出電容體積

? 芯片溫升低： 采用SOP7/PP、SOP10/PP封裝，封裝底部可大面積敷銅散熱，顯著降低芯片溫升

? 轉(zhuǎn)換效率高： QR-Lock、PFM、Burst 三種混合工作模式，顯著提升全負載段轉(zhuǎn)換效率，輕松滿足CoC V5 Tier 2

? 輸出電壓紋波低：得益于QR-Lock控制技術(shù)，寬輸出電壓下開環(huán)傳遞函數(shù)的相位裕量充足，輸出電壓紋波較傳統(tǒng)技術(shù)降低20mV以上

方案亮點

高壓啟動技術(shù)

PN8782/3集成高壓啟動管M3，芯片快速啟動后關(guān)閉M3，實現(xiàn)低待機功耗。

30W Demo待機實測數(shù)據(jù)如下：

QR-Lock技術(shù)

PN8782/3基于QR-Lock控制，可鎖定6個谷底，顯著降低功率GaN開通損耗，支持200kHz以上工作頻率。

30W Demo SW工作波形如下：

鎖6谷底工作波形

鎖1谷底工作波形

相同系統(tǒng)參數(shù)，QR-Lock控制比傳統(tǒng)QR方案，輸出電壓紋波降低20mV以上。

QR-Lock控制

傳統(tǒng)QR控制

混合工作模式

QR-Lock、PFM、Burst 三種混合工作模式，顯著提升全負載段轉(zhuǎn)換效率。

30W Demo的效率實測數(shù)據(jù)如下：

優(yōu)異全面的保護功能

芯片提供了極為全面和優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BNO)、輸出過壓保護(OVP)、VDD過壓保護(VDD OVP)、逐周期過流保護(OCP)、輸出短路保護(SCP)、DMG電阻短路保護、次級整流管短路保護(DSP)、CS電阻開路保護、輸出過載保護(OLP)和過溫保護(OTP) ，可輕松應對各種應用場景下可能發(fā)生的電源故障！

HV腳采樣電壓在芯片內(nèi)部經(jīng)過分壓后與BNO和LOVP基準比較，實現(xiàn)市電欠壓和過壓保護。