反激式開關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)與整改(2)
反激電源傳導(dǎo)分析模型
案例:如圖1所示,5V2A充電器因PCB布線不同造成傳導(dǎo)結(jié)果6dB以上差異。
圖1 PN8370 5V2A充電器PCB布線
由該案例可引出反激電源傳導(dǎo)定量分析的關(guān)鍵因素:
干擾源:開關(guān)節(jié)點(diǎn)(如PN8370的SW腳);
路徑:分布電容(如SW腳至輸入整流回路),容量與金屬極板面積成正比、距離成反比;
形式:位移電流,由安培-麥克斯韋全電流定理可知變化電場(chǎng)可產(chǎn)生位移電流。
忽略PCB布線引起的分布電容,采用圖2所示變壓器結(jié)構(gòu),反激電源的傳導(dǎo)分析模型如圖3所示。
圖2 變壓器結(jié)構(gòu)
圖3 反激電源EMI傳導(dǎo)分析模型(無(wú)散熱器)
由反激電源EMI傳導(dǎo)分析模型可知:
Q1、D2、D3為開關(guān)干擾源,dV/dt、di/dt變化顯著;
變壓器寄生電容Csp、Csa、Cssh、Csc為共模噪聲提供通路;由于屏蔽繞組及磁芯接初級(jí)參考地,寄生電容Cpc、Cpsh、Cash已轉(zhuǎn)化為差模干擾回路,EMI影響忽略;
由于干擾源(Q1、D2、D3)流過(guò)寄生電容(Csp、Csa、Cssh、Csc)的電流方向不一致,可調(diào)整變壓器結(jié)構(gòu)使得合成共模電流最小。
變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)方法
相比差模噪聲,由于共模噪聲頻段寬(1M-1GHz)且濾波器衰減作用有限,因此反激變壓器EMI設(shè)計(jì)以減小共模噪聲為主。反激電源的共模噪聲分析模型如圖4所示,根據(jù)示波器測(cè)量的平臺(tái)電壓幅值優(yōu)化變壓器結(jié)構(gòu)及屏蔽圈數(shù),直至干擾平臺(tái)電壓幅值在2V以內(nèi)。
圖4 反激電源共模噪聲分析模型
我們以PN8370 12V1A適配器為例說(shuō)明共模噪聲與傳導(dǎo)的關(guān)系,變壓器初級(jí):0.21mm*102Ts;屏蔽:0.21mm*12Ts;輔助:0.21mm*12Ts;次級(jí):0.5mm*10Ts。共模噪聲與傳導(dǎo)測(cè)試結(jié)果如圖5所示。
圖5 共模噪聲與傳導(dǎo)測(cè)試結(jié)果1
屏蔽圈數(shù)由12Ts調(diào)整至15Ts,共模噪聲與傳導(dǎo)測(cè)試結(jié)果如圖6所示。
圖6 共模噪聲與傳導(dǎo)測(cè)試結(jié)果2
由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可見,共模噪聲與傳導(dǎo)有著密切關(guān)系,根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn):合理PCB布線,共模平臺(tái)干擾電壓控制在2V以內(nèi),為傳導(dǎo)達(dá)標(biāo)的充分條件,輻射達(dá)標(biāo)的必要條件。
EMI濾波器選取
A. 輸入濾波器選取如圖7所示:
(a)適應(yīng)于無(wú)接地要求18W以內(nèi)反激電源
(b)適應(yīng)于有接地要求18W以內(nèi)反激電源
(c)適應(yīng)于18W以上反激電源
圖7 典型輸入EMI濾波器
B. Y電容的選?。?/strong>
Y電容容量遠(yuǎn)大于變壓器寄生電容,可將流過(guò)變壓器共模電流旁路為差模電流,改善EMI;
Y電容容量會(huì)影響輻射及漏電流,需滿足EMI及安規(guī)要求。
Y電容回路為輻射干擾源之一,應(yīng)盡量縮短,并與初級(jí)信號(hào)回路分開,以免EMS能力降低。
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